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AIXTRON tritt 300-mm-GaN-Forschungsprogramm mit Hyperion 300 mm Anlage bei

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EQS-Media / 07.10.2025 / 07:30 CET/CEST

AIXTRON tritt 300-mm-GaN-Forschungsprogramm mit Hyperion 300 mm Anlage bei

Herzogenrath, 7. Oktober 2025 - AIXTRON SE (FSE: AIXA) beteiligt sich als

einer der ersten Partner mit seinem Hyperion GaN-MOCVD-System an einem

300-mm-GaN-Programm für Leistungselektronik. Das Hyperion-System wird

genutzt, um 300 mm Epitaxiewafer für das Programm und dessen Partner

bereitzustellen und damit die Entwicklung von Nieder- und

Hochspannungs-Leistungselektronikanwendungen zu unterstützen - beispielsweise

On-Board-Charger und DC/DC-Wandler für Elektrofahrzeuge, Wechselrichter für

Solaranlagen sowie Stromverteilungssysteme für AI-Rechenzentren.

Imec, das renommierte Halbleiter-Forschungsinstitut mit Sitz in Leuven

(Belgien), hat sein GaN-Power-Programm, das bisher auf 200 mm Wafern

basiert, um ein neues 300 mm Programm erweitert, um GaN-Epitaxiewachstum und

Prozessabläufe für nieder- und hochvoltige

GaN-High-Electron-Mobility-Transistors (HEMT) zu entwickeln. Der Einsatz von

300 mm Substraten wird nicht nur die Herstellungskosten für GaN-Bauelemente

senken, sondern auch die Entwicklung fortschrittlicherer

Leistungselektronikbausteine ermöglichen - etwa hocheffiziente

Niederspannungs-Point-of-Load-Wandler für CPUs und GPUs. AIXTRON unterstützt

dieses neue Programm mit seinem Hyperion 300 mm GaN-MOCVD-System in imecs

hochmodernem Reinraum in Leuven. Das System wird Epitaxiewafer für das

Programm und dessen Partner liefern, um die Entwicklung von Nieder- und

Hochvolt-Leistungselektronikanwendungen voranzutreiben.

"Wir sind sehr stolz, erneut mit imec zusammenzuarbeiten, um die Entwicklung

im Bereich GaN-Power voranzutreiben. Dank der In-Situ-Reinigungsfunktionen

ist unsere Hyperion 300 mm GaN-MOCVD-Plattform bislang die einzige

vollautomatisierte Plattform. Sie ermöglicht es unseren Kunden, 300 mm

GaN-Epitaxie nahtlos in ihre Silizium-Reinräume zu integrieren", sagt Dr.

Felix Grawert, CEO der AIXTRON SE, und ergänzt: "Es war für uns nur

konsequent, die Partnerschaft mit imec im Bereich 300 mm GaN fortzusetzen,

um die Einführung der Galliumnitrid-Technologie in immer mehr

siliziumbasierten Anwendungen weiter zu beschleunigen. Die Zusammenarbeit

stellt sicher, dass unsere Kunden direkt auf ihren MOCVD-Systemen von den

neuesten Prozessfortschritten bei imec profitieren."

AIXTRON und imec sind langjährige Partner in mehreren Programmen, in denen

imec sowohl die AIXTRON G5+ C als auch die G10-GaN Anlage in seinem Reinraum

einsetzt, um die Entwicklung von GaN-Power- und HF-Bauelementen für alle

Forschungspartner voranzutreiben. Nachdem seit 2024 bereits an

300-mm-GaN-Power gearbeitet wurde, schafft diese neue Partnerschaft einen

starken gegenseitigen Mehrwert für imec und AIXTRON: Sie beschleunigt die

Verfügbarkeit vorproduktionsreifer Epitaxie-Rezepturen und Prozessabläufe,

die Partner direkt auf ihren AIXTRON-MOCVD-Systemen nutzen können, um mit

ihrer Produktentwicklung zu beginnen.

Ansprechpartner

Christian Ludwig

Vice President Investor Relations & Corporate Communications

fon +49 (2407) 9030-444

e-mail c.ludwig@aixtron.com

Über AIXTRON

Die AIXTRON SE (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) ist ein führender Anbieter von

Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie. Das Unternehmen wurde 1983

gegründet und hat seinen Sitz in Herzogenrath (Städteregion Aachen) sowie

Niederlassungen und Repräsentanzen in Asien, den USA und in Europa. Die

Technologielösungen der Gesellschaft werden weltweit von einem breiten

Kundenkreis zur Herstellung von leistungsstarken Bauelementen für

elektronische und optoelektronische Anwendungen auf Basis von

Verbindungshalbleiter- oder organischen Halbleitermaterialien genutzt. Diese

Bauelemente werden in einer Vielzahl innovativer Anwendungen, Technologien

und Industrien eingesetzt. Dazu gehören beispielsweise Laser-, LED-, und

Displaytechnologien, Datenübertragung, SiC- und GaN-Energiemanagement und

-umwandlung, Kommunikation, Signal- und Lichttechnik sowie viele weitere

anspruchsvolle High-Tech-Anwendungen.

Unsere eingetragenen Warenzeichen: AIXACT(R), AIXTRON(R), APEVA(R), Atomic

Level SolutionS(R), Close Coupled Showerhead(R), CRIUS(R), EXP(R),

EPISON(R), Gas Foil Rotation(R), Optacap(TM), OVPD(R), Planetary Reactor(R),

PVPD(R), STExS(R), TriJet(R)

Weitere Informationen über AIXTRON (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) sind im

Internet unter www.aixtron.com verfügbar.

Zukunftsgerichtete Aussagen

Dieses Dokument kann zukunftsgerichtete Aussagen über das Geschäft, die

Finanz- und Ertragslage und Gewinnprognosen von AIXTRON enthalten. Begriffe

wie "können", "werden", "erwarten", "rechnen mit", "erwägen",

"beabsichtigen", "planen", "glauben", "fortdauern" und "schätzen",

Abwandlungen solcher Begriffe oder ähnliche Ausdrücke kennzeichnen diese

zukunftsgerichteten Aussagen. Solche zukunftsgerichtete Aussagen geben die

gegenwärtigen Beurteilungen, Erwartungen und Annahmen des AIXTRON

Managements, von denen zahlreiche außerhalb des AIXTRON Einflussbereiches

liegen, wieder und gelten vorbehaltlich bestehender Risiken und

Unsicherheiten. Sie sollten kein unangemessenes Vertrauen in die

zukunftsgerichteten Aussagen setzen. Sollten sich Risiken oder

Ungewissheiten realisieren oder sollten zugrunde liegende Erwartungen

zukünftig nicht eintreten beziehungsweise es sich herausstellen, dass

Annahmen nicht korrekt waren, so können die tatsächlichen Ergebnisse,

Leistungen und Erfolge von AIXTRON wesentlich von denjenigen Ergebnissen

abweichen, die ausdrücklich oder implizit in der zukunftsgerichteten Aussage

genannt worden sind.. Dies kann durch Faktoren verursacht werden, wie zum

Beispiel die tatsächlich von AIXTRON erhaltenen Kundenaufträge, den Umfang

der Marktnachfrage nach Depositionstechnologie, den Zeitpunkt der

endgültigen Abnahme von Erzeugnissen durch die Kunden, das Finanzmarktklima

und die Finanzierungsmöglichkeiten von AIXTRON, die allgemeinen

Marktbedingungen für Depositionsanlagen, und das makroökonomische Umfeld,

Stornierungen, Änderungen oder Verzögerungen bei Produktlieferungen,

Beschränkungen der Produktionskapazität, lange Verkaufs- und

Qualifizierungszyklen, Schwierigkeiten im Produktionsprozess, die allgemeine

Entwicklung der Halbleiterindustrie, eine Verschärfung des Wettbewerbs,

Wechselkursschwankungen, die Verfügbarkeit öffentlicher Mittel,

Zinsschwankungen bzw. Änderung verfügbarer Zinskonditionen, Verzögerungen

bei der Entwicklung und Vermarktung neuer Produkte, eine Verschlechterung

der allgemeinen Wirtschaftslage sowie durch alle anderen Faktoren, die

AIXTRON in öffentlichen Berichten und Meldungen, insbesondere im Abschnitt

Risiken des Jahresberichts, beschrieben hat. In dieser Mitteilung enthaltene

zukunftsgerichtete Aussagen beruhen auf den gegenwärtigen Einschätzungen und

Prognosen des Vorstands basierend auf den zum Zeitpunkt dieser Mitteilung

verfügbaren Informationen. AIXTRON übernimmt keine Verpflichtung zur

Aktualisierung oder Überprüfung zukunftsgerichteter Aussagen wegen neuer

Informationen, künftiger Ereignisse oder aus sonstigen Gründen, soweit keine

ausdrückliche rechtliche Verpflichtung besteht.

Dieses Dokument liegt ebenfalls in englischer Übersetzung vor, bei

Abweichungen geht die deutsche maßgebliche Fassung des Dokuments der

englischen Übersetzung vor.

Ende der Pressemitteilung

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Emittent/Herausgeber: AIXTRON SE

Schlagwort(e): Unternehmen

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Unternehmen: AIXTRON SE

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E-Mail: invest@aixtron.com

Internet: www.aixtron.com

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