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AIXTRON hat Planetary-GaN-MOCVD-Systeme an Renesas zur Erweiterung der High-Volume-Manufacturing-Kapazitäten geliefert

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EQS-Media / 07.05.2026 / 08:00 CET/CEST

AIXTRON hat Planetary-GaN-MOCVD-Systeme an Renesas zur Erweiterung der

High-Volume-Manufacturing-Kapazitäten geliefert

Herzogenrath, 7. Mai 2026 - AIXTRON SE (FSE: AIXA) hat Renesas mehrere

Planetary G5+C-Systeme geliefert, um dessen Produktionskapazitäten für

Galliumnitrid-(GaN)-Bauelemente in Hochvolumenfertigungsumgebungen (HVM)

signifikant auszubauen. Die Zusammenarbeit stärkt Renesas'

GaN-Fertigungskapazitäten und adressiert die stark steigende Nachfrage in

wichtigen Anwendungen der Leistungselektronik.

Seit der Übernahme von Transphorm im Juni 2024 treibt Renesas die

industrielle Skalierung der GaN-Technologie konsequent voran. Die

Schwerpunkte liegen auf Anwendungen in der E-Mobilität und im

Automotive-Bereich, auf fortschrittlichen Internet-of-Things-(IoT)-Lösungen,

auf Schnellladeinfrastrukturen, auf Stromversorgungsarchitekturen für KI-

und Rechenzentrumsanwendungen sowie auf Systemen für erneuerbare Energien

und industrielle Anwendungen. Das Ziel ist eine hocheffiziente, kompakte und

skalierbare Leistungswandlung bereitzustellen.

MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition) ist ein Schlüsselverfahren

in der Halbleiterfertigung, dass die Abscheidung hochqualitativer

GaN-Epitaxieschichten mit präzise kontrollierten Materialeigenschaften

ermöglicht. Die Planetary-MOCVD-Systeme von AIXTRON sind auf einen hohen

Durchsatz und eine exzellente Schichtuniformität ausgelegt. Sie unterstützen

die nahtlose Skalierung der GaN-Leistungshalbleiterproduktion von Renesas.

Die Systeme wurden bereits ausgeliefert und sind vollständig im Betrieb.

"GaN ist eines der dynamischsten Wachstumssegmente unserer Branche und

entwickelt sich zunehmend zu einem zentralen Treiber unseres

Power-Geschäfts", sagte Rohan Samsi, Vice President der GaN Business

Division der Power Product Group bei Renesas. "Wir freuen uns, auf der

bewährten Planetary-Plattform aufzubauen, die ursprünglich bei Transphorm

eingeführt wurde, und unsere Fertigungskapazitäten mit zusätzlichen AIXTRON

GaN Planetary Systemen nahtlos zu erweitern."

"Die Entscheidung von Renesas, die GaN-Produktion im

High-Volume-Manufacturing gezielt hochzufahren, unterstreicht die

beschleunigte Marktdynamik im Wide-Bandgap-Sektor", sagte Dr. Nicolas

Müsgens, Director Product Management GaN bei AIXTRON. "Als langjähriger

Technologiepartner unterstützen wir diese Expansion mit unseren etablierten

Planetary-MOCVD-Produktionslösungen. Der Auftrag über zusätzliche AIXTRON

GaN Planetary Systeme belegt das klare Bekenntnis von Renesas zur

GaN-Großserienfertigung und wir sind stolz darauf, mit unserer Technologie

zu diesem Wachstum beizutragen."

Ansprechpartner

Christian Ludwig

Vice President Investor Relations & Corporate Communications

fon +49 (2407) 9030-444

e-mail c.ludwig@aixtron.com

Über AIXTRON

Die AIXTRON SE (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) ist ein führender Anbieter von

Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie. Das Unternehmen wurde 1983

gegründet und hat seinen Sitz in Herzogenrath (Städteregion Aachen) sowie

Niederlassungen und Repräsentanzen in Asien, den USA und in Europa. Die

Technologielösungen der Gesellschaft werden weltweit von einem breiten

Kundenkreis zur Herstellung von leistungsstarken Bauelementen für

elektronische und optoelektronische Anwendungen auf Basis von

Verbindungshalbleiter- oder organischen Halbleitermaterialien genutzt. Diese

Bauelemente werden in einer Vielzahl innovativer Anwendungen, Technologien

und Industrien eingesetzt. Dazu gehören beispielsweise Laser-, LED- und

Displaytechnologien, Datenübertragung, SiC- und GaN-Energiemanagement und

-umwandlung, Kommunikation, Signal- und Lichttechnik sowie viele weitere

anspruchsvolle High-Tech-Anwendungen.

Unsere eingetragenen Warenzeichen: AIXACT®, AIX-Multi-Ject®, AIXTRON®, Close

Coupled Showerhead®, EXP®, EPISON®, Gas Foil Rotation®, HXP®, HYPERION®,

Multi-Ject®, Planetary Reactor®, PVPD®, STExS®, TriJet®

Weitere Informationen über AIXTRON (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) sind im

Internet unter www.aixtron.com verfügbar.

Zukunftsgerichtete Aussagen

Dieses Dokument kann zukunftsgerichtete Aussagen über das Geschäft, die

Finanz- und Ertragslage und Gewinnprognosen von AIXTRON enthalten. Begriffe

wie "können", "werden", "erwarten", "rechnen mit", "erwägen",

"beabsichtigen", "planen", "glauben", "fortdauern" und "schätzen",

Abwandlungen solcher Begriffe oder ähnliche Ausdrücke kennzeichnen diese

zukunftsgerichteten Aussagen. Solche zukunftsgerichteten Aussagen geben die

gegenwärtigen Beurteilungen, Erwartungen und Annahmen des AIXTRON

Managements, von denen zahlreiche außerhalb des AIXTRON Einflussbereiches

liegen, wieder und gelten vorbehaltlich bestehender Risiken und

Unsicherheiten. Sie sollten kein unangemessenes Vertrauen in die

zukunftsgerichteten Aussagen setzen. Sollten sich Risiken oder

Ungewissheiten realisieren oder sollten zugrunde liegende Erwartungen

zukünftig nicht eintreten beziehungsweise es sich herausstellen, dass

Annahmen nicht korrekt waren, so können die tatsächlichen Ergebnisse,

Leistungen und Erfolge von AIXTRON wesentlich von denjenigen Ergebnissen

abweichen, die ausdrücklich oder implizit in der zukunftsgerichteten Aussage

genannt worden sind. Dies kann durch Faktoren verursacht werden, wie zum

Beispiel die tatsächlich von AIXTRON erhaltenen Kundenaufträge, den Umfang

der Marktnachfrage nach Depositionstechnologie, den Zeitpunkt der

endgültigen Abnahme von Erzeugnissen durch die Kunden, das Finanzmarktklima

und die Finanzierungsmöglichkeiten von AIXTRON, die allgemeinen

Marktbedingungen für Depositionsanlagen, und das makroökonomische Umfeld,

Stornierungen, Änderungen oder Verzögerungen bei Produktlieferungen,

Beschränkungen der Produktionskapazität, lange Verkaufs- und

Qualifizierungszyklen, Schwierigkeiten im Produktionsprozess, die allgemeine

Entwicklung der Halbleiterindustrie, eine Verschärfung des Wettbewerbs,

Wechselkursschwankungen, die Verfügbarkeit öffentlicher Mittel,

Zinsschwankungen bzw. Änderung verfügbarer Zinskonditionen, Verzögerungen

bei der Entwicklung und Vermarktung neuer Produkte, eine Verschlechterung

der allgemeinen Wirtschaftslage sowie durch alle anderen Faktoren, die

AIXTRON in öffentlichen Berichten und Meldungen, insbesondere im Abschnitt

Risiken des Jahresberichts, beschrieben hat. In dieser Mitteilung enthaltene

zukunftsgerichtete Aussagen beruhen auf den gegenwärtigen Einschätzungen und

Prognosen des Vorstands basierend auf den zum Zeitpunkt dieser Mitteilung

verfügbaren Informationen. AIXTRON übernimmt keine Verpflichtung zur

Aktualisierung oder Überprüfung zukunftsgerichteter Aussagen wegen neuer

Informationen, künftiger Ereignisse oder aus sonstigen Gründen, soweit keine

ausdrückliche rechtliche Verpflichtung besteht.

Dieses Dokument liegt ebenfalls in englischer Sprache vor. Bei Abweichungen

ist die englische Fassung maßgeblich.

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Emittent/Herausgeber: AIXTRON SE

Schlagwort(e): Unternehmen

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Sprache: Deutsch

Unternehmen: AIXTRON SE

Dornkaulstraße 2

52134 Herzogenrath

Deutschland

Telefon: +49 (2407) 9030-0

Fax: +49 (2407) 9030-445

E-Mail: invest@aixtron.com

Internet: www.aixtron.com

ISIN: DE000A0WMPJ6

WKN: A0WMPJ

Indizes: MDAX, TecDAX

Börsen: Regulierter Markt in Frankfurt (Prime Standard);

Freiverkehr in Düsseldorf, Hamburg, Hannover, München,

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