Technologieführer bei GaN-Produktionssystemen

Aixtron ist weltweit führend bei sogenannten Epitaxie-Anlagen. Das sind Maschinen, mit denen ultradünne Kristallschichten auf Halbleitersubstrate aufgebracht werden. Rund 90 % Marktanteil bei Epitaxie-Tools für GaN auf Silizium sprechen eine klare Sprache. In diesem Spezialsegment ist Aixtron der Taktgeber. Kernprodukte im Portfolio sind die MOCVD-Anlagen („Metal Organic Chemical Vapor Deposition“), darunter Systeme wie der G10-GaN oder der AIX G5+ C, die gezielt für die Fertigung von Leistungshalbleitern auf GaN-Basis entwickelt wurden. Diese Anlagen ermöglichen es, besonders gleichmäßige und leistungsfähige GaN-Schichten auf Wafer zu bringen, was ein entscheidender Schritt für die Massenfertigung effizienter Chips ist. Das G10-GaN-System zeichnet sich insbesondere durch seine Skalierbarkeit, hohe Produktivität und Reproduzierbarkeit aus. Auch ermöglichen die G10-GaN-Systeme laut Aixtron höhere Produktionsvolumina bei geringeren Kosten pro Wafer, verbessern die Energieeffizienz der Bauelemente und erlauben eine gleichmäßigere Schichtqualität. Diese Vorteile sind entscheidend, um die hohen Anforderungen an Bauteile in modernen KI-Rechenzentren und bei Stromversorgungslösungen zu erfüllen.

Der GaN-Markt: Explosives Wachstum durch Energieeffizienz

Der globale GaN-Markt steht vor einer Phase des explosiven Wachstums, da GaN-Chips herkömmliche siliziumbasierte Halbleiter in immer mehr Anwendungen ersetzen. Dieses Wachstum wird durch verschiedene Faktoren begünstigt, darunter die zunehmende Verbreitung von 5G-Technologie, Elektrofahrzeugen, erneuerbaren Energien und nicht zuletzt die rapide Expansion von Rechenzentren. Der KI-Boom mit Modellen, die Billionen Rechenoperationen pro Sekunde erfordern, lässt den Stromverbrauch in Rechenzentren explodieren. In Rechenzentren, wo der Energieverbrauch ein entscheidender Kosten- und Umweltfaktor ist, stehen GaN-Chips vor dem Durchbruch bei der Board- und Rack-Level-Architektur. Ihre Eigenschaften, wie höhere Schaltfrequenzen, geringere Energieverluste bei der Stromumwandlung und eine deutlich geringere Abwärme, machen sie zur idealen Wahl für leistungsstarke und gleichzeitig energieeffiziente Stromversorgungslösungen. Diese Vorteile führen nicht nur zu erheblichen Stromeinsparungen bei der Kühlung, sondern auch zu kompakteren Designs, was den begrenzten Raum in Rechenzentren optimal ausnutzt. Die Umstellung auf GaN-basierte Stromversorgung in Rechenzentren wird als ein Megatrend angesehen, der den GaN-Markt in den nächsten Jahren maßgeblich prägen wird und Aixtron als Ausrüster direkt zugutekommt.

Die Infineon-NVIDIA-Kooperation macht Aixtron zum künftigen KI-Profiteur

Die jüngste Zusammenarbeit zwischen Infineon und NVIDIA im Bereich der Stromversorgungslösungen der nächsten Generation für KI-Datacenter stellt einen strategischen Meilenstein dar, von dem Aixtron mittelfristig erheblich profitieren sollte. Diese Partnerschaft zielt darauf ab, die Energieeffizienz in KI-Rechenzentren drastisch zu verbessern. Der Kern dieser Entwicklung ist der erwartete Rückgriff auf GaN-Leistungshalbleiter als Standard für Hochspannungs-Gleichstromwandler. Der Übergang zur 800-V-HVDC-Architektur, den Infineon und NVIDIA planen, begünstigt diese Entwicklung maßgeblich. Ab 2027 soll diese neue Stromversorgung im größeren Maßstab eingeführt werden, wobei die Partner die Notwendigkeit einer energieeffizienten Stromverteilung explizit betonen. Hier kommen die Vorteile von GaN-Chips gegenüber herkömmlichen Siliziumhalbleitern voll zum Tragen. GaN ermöglicht deutlich höhere Schaltfrequenzen und damit weniger Energieverluste bei der Stromumwandlung. Dies führt zu einer geringeren Abwärme, was wiederum massive Stromeinsparungen bei der Kühlung der Rechenzentren bedeutet. Da Aixtron die notwendigen Abscheideanlagen für die Produktion dieser hochleistungsfähigen GaN-Chips liefert, ist das Unternehmen direkt in die Wertschöpfungskette dieser zukunftsweisenden Technologie eingebunden. Jede Ausweitung der GaN-Produktion durch Infineon oder andere Halbleiterhersteller, die von dieser Kooperation inspiriert wird, generiert direkte Nachfrage nach Aixtron-Anlagen und sichert dem Unternehmen eine zentrale Rolle in der Evolution der KI-Infrastruktur.

2025 ist ein Übergangsjahr. Ab 2026 sollte die nächste Wachstumsphase anlaufen!

Derzeit durchläuft Aixtron eine zyklische Schwäche, weil u.a. die Hersteller von SiC-Chips wegen dem langsameren Übergang zu Elektroautos weniger investieren. Dennoch gelang es im 1. Quartal, den Auftragseingang bereits um 10 % auf 132,2 Mio. Euro zu steigern. Der Orderbestand von 307,9 Mio. Euro stellt eine solide Basis für die Jahresziele dar, die einen Umsatz von 530 bis 600 Mio. Euro bei einer EBIT-Marge von 18 bis 22 % beinhalten. „Mit der Möglichkeit, 300mm GaN-Wafer jetzt im Innovationszentrum selber zu prozessieren, können wir unsere Kunden bei dem zukünftigen Umstieg auf die nächste Wafergröße noch besser unterstützen“, so Aixtron. Damit sieht man sich für die nächste Wachstumsphase aufgestellt, die ab 2026 anlaufen sollte. Das KGV26e von 14,4 ist günstig für den Start eines neuen Aufschwungs.

Trading-Idee: Endlos-Turbo Long Optionsschein Aixtron SE

Anleger, die von einer positiven Geschäftsentwicklung des Unternehmens Aixtron SE ausgehen, könnten als Alternative zu einem Direktinvestment mit einem Endlos-Turbo Long Optionsschein der DZ BANK bezogen auf die Aixtron SE (Basiswert) auf ein solches Szenario setzen (z.B. WKN DY60SD). Mit Endlos-Turbo Long Optionsscheinen können Anleger überproportional an allen Kursentwicklungen des zugrunde liegenden Basiswerts partizipieren. Aufgrund der Hebelwirkung reagiert ein Endlos-Turbo Long Optionsschein auf kleinste Kursbewegungen des zugrunde liegenden Basiswerts. Da die Wertentwicklung des zugrunde liegenden Basiswerts im Laufe der Zeit schwanken oder sich nicht entsprechend den Erwartungen des Anlegers entwickeln kann, besteht das Risiko, dass das eingesetzte Kapital nicht in voller Höhe zurückgezahlt wird. Sollte der Kurs des zugrunde liegenden Basiswerts an mindestens einem Zeitpunkt während der Laufzeit eines Endlos-Turbo Long Optionsscheins auf oder unter der sog. Knock-Out-Barriere notieren (Knock-out-Ereignis), verfällt der Endlos-Turbo long Optionsschein wertlos. Die Knock-Out-Barriere wird täglich angepasst. Ansprüche aus dem zugrunde liegenden Basiswert (z.B. Dividenden, Stimmrechte) stehen dem Anleger nicht zu. Ein Endlos-Turbo long Optionsschein hat keine feste Laufzeit. Er kann insgesamt zu festgelegten Terminen (ordentliche Kündigungstermine) durch die DZ BANK gekündigt werden. Ein Anleger kann einen Endlos-Turbo long Optionsschein an festgelegten Terminen (Einlösungstermine) einlösen.

Einen gänzlichen Verlust des eingesetzten Kapitals erleidet der Anleger bei einem Endlos-Turbo long Optionsschein mit Basiswert Aixtron SE-Aktie, wenn der Kurs der Aktie des Unternehmens Aixtron SE zu einem beliebigen Zeitpunkt während der Haltedauer auf oder unter der Knock-Out-Barriere notiert. (Totalverlustrisiko). Ein Totalverlust des eingesetzten Kapitals ist auch möglich, wenn die DZ BANK ihren Verpflichtungen aus dem Produkt aufgrund behördlicher Anordnungen oder einer Insolvenz (Zahlungsunfähigkeit / Überschuldung) nicht mehr erfüllen kann.

Eine ausführliche Erläuterung der genannten Fachbegriffe finden Sie in unserem Glossar.

Stand: 10.06.2025, DZ BANK AG / Online-Redaktion