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Erste AIXTRON MOCVD-Anlage für Scandium- und Yttrium-haltige Verbindungshalbleiter an der Cornell Universität installiert

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EQS-Media / 30.09.2025 / 07:30 CET/CEST

Erste AIXTRON MOCVD-Anlage für Scandium- und Yttrium-haltige

Verbindungshalbleiter an der Cornell Universität installiert

Herzogenrath, 30. September 2025 - Die Cornell University in Ithaca, New

York, hat ein hochmodernes Close Coupled Showerhead® (CCS) Metal-Organic

Chemical Vapor Deposition (MOCVD)-System von AIXTRON SE (FSE: AIXA)

erworben. Das MOCVD-System wird die Arbeit der Materialwissenschaftlichen

Fakultät der Cornell University stärken und ihre Möglichkeiten zur

Erforschung und Entwicklung fortschrittlicher scandium- und yttriumhaltigen

Materialien mit vielversprechenden Anwendungsmöglichkeiten in der Elektronik

erweitern.

Die Anschaffung durch die Cornell University ist die erste Installation

eines AIXTRON CCS MOCVD-Systems an der Universität und stellt eine

bedeutende Aufwertung ihrer Forschungsinfrastruktur dar. Das CCS-System

ermöglicht die Abscheidung hochwertiger, hochgradig gleichmäßiger

Dünnschichten - eine wesentliche Voraussetzung für bahnbrechende

Halbleiter-Bauelemente. Insbesondere die Einbindung von Scandium (Sc) oder

Yttrium (Y) in bestimmte Materialsysteme kann die piezoelektrischen

Eigenschaften deutlich verbessern. In einigen Berichten wurde bereits

gezeigt, dass ein Anteil von wenigen Prozent Scandium die piezoelektrischen

Koeffizienten um ein Vielfaches erhöhen kann, was in Transistoren höhere

Stromdichten oder den Betrieb bei höheren Frequenzen ermöglicht. Yttrium (Y)

spielt ebenfalls eine entscheidende Rolle bei der Anpassung der

elektronischen und ferroelektrischen Eigenschaften für energieeffiziente und

leistungsstarke elektronische Komponenten.

AIXTRONs CCS-MOCVD-System zeichnet sich durch die Möglichkeit aus,

Präkursoren mit niedrigem Dampfdruck zu verarbeiten. Gleichzeitig wird das

Wachstum bei hohen Partialdrücken von Scandium in Barriereschichten und

aktiven Schichten ermöglicht. Für diese Installation wird das MOCVD-System

mit einer neu entwickelten Hochtemperaturquelle und einer optimierten

Präkursor-Handhabung ausgestattet, die eine stabile, kontrollierbare

Einbindung von Sc und Y ermöglichen, ohne die Gleichmäßigkeit der Schicht zu

beeinträchtigen. Diese Funktionen ermöglichen es Forschern, Materialien und

Bauelement-Designs zu erforschen, die bisher schwer zu realisieren waren.

Somit wird eine Brücke zwischen wissenschaftlichen Entdeckungen und

skalierbaren Prozessbedingungen geschlagen.

"Wir freuen uns sehr, das CCS MOCVD-Werkzeug von AIXTRON in die

Materialwissenschaftliche Fakultät zu integrieren", sagte Professor Hari

Nair, Assistenzprofessor in der Materialwissenschaftlichen Fakultät der

Cornell University. "Diese Anschaffung ist ein wichtiger Schritt vorwärts in

unserem Engagement für wegweisende Forschung. Die Möglichkeit,

Quellenmaterialien mit niedrigem Dampfdruck für Scandium und Yttrium unter

kontrollierten Bedingungen in den Reaktor einzubringen, eröffnet neue Wege,

die piezoelektrischen und ferroelektrischen Eigenschaften dieser

Schichtsysteme zu verbessern. Diese Scandium oder Yttrium enthaltende

Schichten sind sehr wünschenswert für elektronische Systeme der nächsten

Generation."

"Wir sind stolz darauf, die Fakultät für Materialwissenschaften der Cornell

University mit unserer CCS-MOCVD-Technologie zu unterstützen", sagte Dr.

Felix Grawert, CEO von AIXTRON SE. "Unsere Systeme sind so konzipiert, dass

sie den anspruchsvollen Anforderungen der Forschung im Bereich neuer

Materialien gerecht werden. Die maßgeschneiderte Hochtemperaturquelle und

das fortschrittliche Präkursoren-Management der Quellenmaterialien dieses

Tools unterstreichen das Engagement von AIXTRON, das Bearbeiten neuer

Materialien zu ermöglichen und Laborinnovationen in industriell relevante

Prozesse umzusetzen."

Die Anschaffung des CCS-MOCVD-Systems durch Cornell ist ein wichtiger

Meilenstein im Streben der Universität nach exzellenter Forschung. Die

Universität freut sich auf die Entdeckungen, Innovationen und

interdisziplinären Kooperationen, die dieses Gerät ermöglichen wird,

darunter Partnerschaften mit Industrie und akademischen Einrichtungen

weltweit.

Ansprechpartner

Christian Ludwig

Vice President Investor Relations & Corporate Communications

fon +49 (2407) 9030-444

e-mail c.ludwig@aixtron.com

Über AIXTRON

Die AIXTRON SE (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) ist ein führender Anbieter von

Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie. Das Unternehmen wurde 1983

gegründet und hat seinen Sitz in Herzogenrath (Städteregion Aachen) sowie

Niederlassungen und Repräsentanzen in Asien, den USA und in Europa. Die

Technologielösungen der Gesellschaft werden weltweit von einem breiten

Kundenkreis zur Herstellung von leistungsstarken Bauelementen für

elektronische und optoelektronische Anwendungen auf Basis von

Verbindungshalbleiter- oder organischen Halbleitermaterialien genutzt. Diese

Bauelemente werden in einer Vielzahl innovativer Anwendungen, Technologien

und Industrien eingesetzt. Dazu gehören beispielsweise Laser-, LED-, und

Displaytechnologien, Datenübertragung, SiC- und GaN-Energiemanagement und

-umwandlung, Kommunikation, Signal- und Lichttechnik sowie viele weitere

anspruchsvolle High-Tech-Anwendungen.

Unsere eingetragenen Warenzeichen: AIXACT(R), AIXTRON(R), APEVA(R), Atomic

Level SolutionS(R), Close Coupled Showerhead(R), CRIUS(R), EXP(R),

EPISON(R), Gas Foil Rotation(R), Optacap(TM), OVPD(R), Planetary Reactor(R),

PVPD(R), STExS(R), TriJet(R)

Weitere Informationen über AIXTRON (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) sind im

Internet unter www.aixtron.com verfügbar.

Zukunftsgerichtete Aussagen

Dieses Dokument kann zukunftsgerichtete Aussagen über das Geschäft, die

Finanz- und Ertragslage und Gewinnprognosen von AIXTRON enthalten. Begriffe

wie "können", "werden", "erwarten", "rechnen mit", "erwägen",

"beabsichtigen", "planen", "glauben", "fortdauern" und "schätzen",

Abwandlungen solcher Begriffe oder ähnliche Ausdrücke kennzeichnen diese

zukunftsgerichteten Aussagen. Solche zukunftsgerichtete Aussagen geben die

gegenwärtigen Beurteilungen, Erwartungen und Annahmen des AIXTRON

Managements, von denen zahlreiche außerhalb des AIXTRON Einflussbereiches

liegen, wieder und gelten vorbehaltlich bestehender Risiken und

Unsicherheiten. Sie sollten kein unangemessenes Vertrauen in die

zukunftsgerichteten Aussagen setzen. Sollten sich Risiken oder

Ungewissheiten realisieren oder sollten zugrunde liegende Erwartungen

zukünftig nicht eintreten beziehungsweise es sich herausstellen, dass

Annahmen nicht korrekt waren, so können die tatsächlichen Ergebnisse,

Leistungen und Erfolge von AIXTRON wesentlich von denjenigen Ergebnissen

abweichen, die ausdrücklich oder implizit in der zukunftsgerichteten Aussage

genannt worden sind.. Dies kann durch Faktoren verursacht werden, wie zum

Beispiel die tatsächlich von AIXTRON erhaltenen Kundenaufträge, den Umfang

der Marktnachfrage nach Depositionstechnologie, den Zeitpunkt der

endgültigen Abnahme von Erzeugnissen durch die Kunden, das Finanzmarktklima

und die Finanzierungsmöglichkeiten von AIXTRON, die allgemeinen

Marktbedingungen für Depositionsanlagen, und das makroökonomische Umfeld,

Stornierungen, Änderungen oder Verzögerungen bei Produktlieferungen,

Beschränkungen der Produktionskapazität, lange Verkaufs- und

Qualifizierungszyklen, Schwierigkeiten im Produktionsprozess, die allgemeine

Entwicklung der Halbleiterindustrie, eine Verschärfung des Wettbewerbs,

Wechselkursschwankungen, die Verfügbarkeit öffentlicher Mittel,

Zinsschwankungen bzw. Änderung verfügbarer Zinskonditionen, Verzögerungen

bei der Entwicklung und Vermarktung neuer Produkte, eine Verschlechterung

der allgemeinen Wirtschaftslage sowie durch alle anderen Faktoren, die

AIXTRON in öffentlichen Berichten und Meldungen, insbesondere im Abschnitt

Risiken des Jahresberichts, beschrieben hat. In dieser Mitteilung enthaltene

zukunftsgerichtete Aussagen beruhen auf den gegenwärtigen Einschätzungen und

Prognosen des Vorstands basierend auf den zum Zeitpunkt dieser Mitteilung

verfügbaren Informationen. AIXTRON übernimmt keine Verpflichtung zur

Aktualisierung oder Überprüfung zukunftsgerichteter Aussagen wegen neuer

Informationen, künftiger Ereignisse oder aus sonstigen Gründen, soweit keine

ausdrückliche rechtliche Verpflichtung besteht.

Dieses Dokument liegt ebenfalls in englischer Übersetzung vor, bei

Abweichungen geht die deutsche maßgebliche Fassung des Dokuments der

englischen Übersetzung vor.

Ende der Pressemitteilung

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Emittent/Herausgeber: AIXTRON SE

Schlagwort(e): Unternehmen

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Sprache: Deutsch

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52134 Herzogenrath

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